ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ЖЕЛЕЗОМ

Боковая панель статьи

PDF (английский)
Опубликован: 2023-06-05
DOI: https://doi.org/10.66073/researchfocus.v2i5.186
Ключевые слова:
морфология, вакансия, подвижность, температура, диффузия, состав, поверхность, термодоноры

Основное содержимое статьи

Х.С. Далиев
Филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет “МЭИ”»,
З.М. Хусанов
Институт физики полупроводников и микроэлектроники при НУУз (Ташкент), Узбекистан

Аннотация

Исследовано влияние диффузионного легирования железом на электрические свойства термообработанного кремния, полученного методом Чохральского. Показано, что присутствие железа снижает концентрацию зародышей термодоноров «ростового» происхождения. Последнее обстоятельство вызвало снижение их начальной скорости; с другой стороны, примесь железа снижала вероятность распада термодоноров, приводя к их переходу в электрически пассивное состояние, что приводило к увеличению концентрации термодоноров при длительном нагреве. Термическая обработка при температурах выше 600°С приводила к потере электрической активности примеси железа. Закалка кристаллов Si<Fe> от 1100÷1200 °С в течение 10 часов возвращала атомы железа в электрически активное положение замещения.

Информация о статье

Выпуск

Том 2 № 5 (2023): Research Focus International Scientific Journal. Том 2, выпуск 5 (2023)

Раздел

Статьи
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Как цитировать

ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ЖЕЛЕЗОМ. (2023). Research Focus International Scientific Journal, 2(5), 11-15. https://doi.org/10.66073/researchfocus.v2i5.186

Библиографические ссылки

Reyvey, K. Defects and impurities in semiconductor silicon / K. Reyvy. - M.: Mir. –1984. -P 472.

Milvidsky, M.G. Semiconductor materials in modern electronics / M.G. Milvidsky. - M.: Nauka –1986. – P.144.

Ilyin, M.A. Determination of oxygen and carbon content in silicon / M.A. Ilyin, V.Ya. Kovarsky, A.F. Orlov // Factory laboratory. - 1984. - T. 50, No. 1. - P. 24 - 32.

Kuchis, E.V. Galvanomagnetic effects and methods of their study / E.V. Kuchis. - M.: Radio and communication. – 1990. – P. 264.

Brinkevich D.I. Influence of oxygen on the behavior of gold impurity in silicon / Inorganic materials. - 1993. - V. 29, No. 12. - SP. 1587 – 1589.

Kaiser, W. Frisch, H.L. Reiss H. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon // Phys. Rev. - 1958. - V. 112, No. 8. - P. 1546 - 1554.

Vabishchevich N.V., Brinkevich D.I., Prosolovich V.S. Oxygen precipitates and the formation of thermal donors in silicon // Physics and Technology of Semiconductors. - 1998. - T. 32, No. 6. -P. 712.

Tan, T.Y. Oxygen precipitation and the generation of dislocations in silicon / T.Y. Tan, W.K. Tice // Phyl. Mag. - 1976. - V. 34, No. 4. - P. 615 - 631.

Enhanced oxygen diffusion in silicon at low temperatures / A.K. Tipping [et al.] // Mater. sci. forum. - 1986. - V. 10 - 12, No. 3. - P. 887 – 892.

Daliyev, H.S., Husanov Z.M., Abduganiyev Y.A. A program for calculating the distribution of iron atoms entering silicon during diffusion. // CERTIFICATE of official registration of the program created for electronic calculators. Ministry of Justice of the Republic of Uzbekistan. No. DGU 18121.

Daliev Kh.S., Daliev Sh.Kh., Paluanova A.D. Radiation and thermal defect formation in silicon MIS structures with impurities of refractory elements. // Scientific journal "Physics of semiconductors and microelectronics". - Tashkent, 2019, volume 1, issue 5. P. 72–77

Daliev Kh.S., Utamuradova Sh.B. Study of the temperature dependence of the diffusion of vanadium in silicon // "Science and the World" International scientific journal, No. 4 (116), – 2023. P. 12-15.