ЛЕГИРОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ТЕРБИЕМ МЕТОДОМ ДИФФУЗИИ.

Боковая панель статьи

PDF (английский)
Опубликован: 2024-04-05
DOI: https://doi.org/10.66073/researchfocus.v3i3.919
Ключевые слова:
монокристаллический кремний, редкоземельные элементы, тербий, метод диффузии, легирование, эффект Холла, метод Ван дер Пау, тип проводимости, концентрация носителей заряда, удельное сопротивление

Основное содержимое статьи

Саидимов Я.А.
Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана (Ташкент), Узбекистан
Руми Р.Ф.
Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана (Ташкент), Узбекистан
Умаров Ф.Б.
Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана (Ташкент), Узбекистан

Аннотация

Методом диффузии при температуре 1250 градусов Цельсия в течение 50 часов были получены монокристаллические образцы кремния, легированные тулием. Установлено, что после высокотемпературного отжига образцы обладают проводимостью p-типа. После этого процесса образцы изменили тип проводимости с p-типа на n-тип.

Информация о статье

Выпуск

Том 3 № 3 (2024): Research Focus International Scientific Journal. Том 3, выпуск 3 (2024)

Раздел

01.00.00 – Физико-математические науки
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Как цитировать

ЛЕГИРОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ ТЕРБИЕМ МЕТОДОМ ДИФФУЗИИ. (2024). Research Focus International Scientific Journal, 3(3), 8-10. https://doi.org/10.66073/researchfocus.v3i3.919

Библиографические ссылки

Antonenko R.S., Karpov Yu.A., Shakhovtsov V.I., Shindich V.L., Spinar L.I., Yaskovets I.I. Electrophysical properties of irradiated p-Si with gadolinium admixture. – FTP, 1978, vol. 12, v. 9, pp. 1707-1713.

Shindich V.L. Investigation of the processes of radiation defect formation in silicon doped with rare earth elements. – Author's thesis. cand. dis. Kiev, 1982. 20 p .

Yu. A. Karpov, V. V. Mazurenko, V. V. Petrov, V. S. Prosolovich, V. D. Tkachev, On the interaction of atoms of rare earth elements with oxygen in silicon, Physics and Technology of semiconductors, 1984, volume 18, issue 2, 368-369

Latukhina N.V., Lebedev V.M. Diffusion alloying of silicon with rare earth elements. Materials of electronic technology. No. 1. Materials science and technology. Semiconductors. 2011. 7-12 p.

Alexandrov O.V., Yemtsev V.V., Poloskin D.S., Sobolev N.A., Shek E.I. Small acceptor centers formed during diffusion of erbium into silicon. FTP. -1994. - Vol.28, issue 11. -pp. 2045-2048.

Zainabiddinov S., Nazirov D.E., Akbarov A.Zh., Iminov A.A., Toshtemirov T.M. Diffusion of erbium into silicon. Letters to ZhTF. -1998. -Vol.24. No.2. -pp. 68-71.

D. E. Nazirov, G. S. Kulikov, R. S. Malkovich, Diffusion of erbium and thulium in silicon, Physics and Technology of Semiconductors, 1991, volume 25, issue 9, 1653-1654

Diffusion of terbium in silicon. Nazirov D.E. //FTP. 2006. Vol.40. V.6. pp. 650-651.

Fistul V.I. Introduction to semiconductor physics. Studies. A manual for universities. -2nd ed. – M.: Higher School, 1984. pp. 34-45.